据麦姆斯咨询介绍，由于电信和国防应用的需求推动，RF GaN市场正以惊人的速度迅速增加。预计RF GaN市场规模将从2019年的7.4亿美元增长到2025年的20亿美元以上，复合年增长率（CAGR）为12%。在本报告中，法国著名知识产权研究的全球专利现在的状况进行了全面的调研和分析，覆盖了从外延片到RF半导体器件、电路、封装、模块和系统的整个价值链。
Knowmade分析师检索、筛选并分析了全世界内截至2020年8月公布的6300多项专利，包括了500多个不同专利申请人提交的3000多个发明专利家族。与2019年版报告相比，这份最新版报告检索分析的专利家族数量增加了2倍，新申请人的数量增加了100多位。
第一批RF GaN专利申请始于20世纪90年代。自2004年起，RF GaN领域的专利申请开始上升，并从2015年开始显著加速增长。现在，RF GaN领域的专利申请主要受到两个因素的驱动：（1）来自中国的专利申请；（2）专利布局逐步向价值链下游延伸。自2015年以来，来自中国的RF GaN专利申请一直在加速。尤其是过去两年，我们注意到来自中国的专利申请数量明显地增加，慢慢的变多的中国新申请人开始RF GaN专利布局。2019-2020年期间，中国申请人占据了专利申请人总量的40%以上，美国申请人占23%，日本申请人占10%，欧洲申请人占3%。
随着中国从制造型经济向创新驱动型经济转型，来自中国企业的RF GaN专利申请普遍呈现增长趋势。这一趋势也侧面反映了RF产业的新形势，即中国市场对商用无线电信应用的需求正呈爆炸式增长，中国企业已经在开发下一代电信网络。此外，在中美贸易战之后，许多中国企业正积极开发用于5G基础设施的RF GaN技术。
过去几年来，为解决RF GaN器件有关技术及制造障碍的创新取得了喜人的成果。近来，该领域的专利申请正加速向价值链下游延伸：RF电路、封装和模块/系统。当前的专利申请表明，仍然还有很多制造和技术问题是需要解决，例如：不同RF半导体器件的单片集成；EPI堆栈、半导体器件和封装级的热管理；半导体器件和电路层的线性；以及电路层面的保护、匹配和失真补偿等。
RF GaN领先厂商不应低估中国的专利申请新力量，因为它们正在改变这样的领域的竞争格局
RF GaN专利领域目前主要由美国和日本公司主导，如科锐（Cree）、富士通（Fujitsu）、住友电工（Sumitomo Electric）、三菱电机（Mitsubishi Electric）、英特尔Intel）、MACOM、东芝（Toshiba）、威讯（Qorvo）和雷神（Raytheon）。从地域来看，美国的RF GaN专利授权量已达1200+，与中国（640+）、日本（440+）和欧洲（250+）相比，美国的知识产权竞争更激烈。然而，新专利申请现在已经集中在中国。
Cree拥有众多的基础专利，尤其是在GaN-on-SiC技术方面，因此，Cree在该领域拥有更强大的专利地位。不过，过去5年来，Cree、Sumitomo Electric和Toshiba的发明申请几乎停滞。这些专利领导者已经开发了全面的专利组合，覆盖了广泛的RF GaN技术节点。专利申请量的减少，可能是它们对其已经强大的RF GaN专利组合拥有足够的信心。
自2017年以来，Intel和MACOM大幅度的增加了专利申请量，尤其是在GaN-on-Silicon技术方面。Intel是RF GaN领域最活跃的专利申请人，过去几年来，其新发明申请量达到了创纪录的水平，或将使其领先Sumitomo Electric、Fujitsu及Cree，在专利方面占据领导地位。
在中国，中国电科（CETC）和西安大学的发明申请最多。海威华芯（HiWafer）、能讯高能半导体（Dynax）、汉华半导体（Hanhua）以及电子科技大学（UEST）、中国科学院微电子研究所（IMECAS）、华南理工大学（SCUT）和半导体研究所等其它申请人，已经布局了相当可观的RF GaN专利组合。此外，还有一批雄心勃勃的新厂商正在积极布局专利。相比之下，欧洲RF制造商泰雷兹（Thales）、BAE Systems、英飞凌（Infineon）、埃赋隆（Ampleon）、爱立信（Ericsson）等公司，在目前的RF GaN专利申请中只占很小一部分。
中国台湾方面，代工厂稳懋半导体（Win Semiconductors）、台积电（TSMC）和环球晶圆（GlobalWaffers）在2010年代中期首先进入RF GaN专利领域，然后世界先进（VIS）和联颖科技（Wavetek）等公司在2018年开始该领域专利布局。韩国厂商则并不十分活跃。过去十年来，韩国电子通讯研究院（ETRI）每年保持少量的的新发明申请。2016年，艾尔福（RFHIC）从元素六（Element Six）获得了GaN-on-Diamond技术的相关专利。随后，我们注意到Wavice、UTel和Wavepia近期开始了该领域的专利申请。
本报告提供了RF GaN领域的主要专利动态，并从专利的角度补充了RF GaN竞争格局。本报告深入剖析了RF GaN关键厂商和新申请人的专利申请组合和布局策略，分析了它们的专利技术、专利强度、感兴趣的市场和未来意图，并重点介绍了它们在RF GaN领域所遵循的战略和技术路线。
本报告详细的介绍了与GaN on SiC、GaN on SiC、GaN on Diamond和GaN on Sapphire相关的专利现状和最新专利。报告分析并介绍了与RF晶体管（HEMT、HBT、E-mode等）、RF二极管（varactor、RTD、IMPATT等）和RF声波器件（SAW、TC-SAW、FBAR、BAW-SMR）相关的专利申请。此外，报告还用一个章节专门介绍了GaN基MMIC相关专利。本报告还重点介绍了专利申请人仍然感兴趣的与RF GaN制造技术相关的专利（散热、单片集成、线性、阻抗匹配等），以及针对毫米波频段或5G的相关应用。
本报告还包括一份重要的Excel专利数据库，这中间还包括了本研究所分析的3000多个专利家族的所有专利。这份高价值专利数据库支持多字段检索，包括专利公开号、原始文件的超链接、优先权日期、标题、摘要、专利权人、当前法律状态和技术和应用领域（外延结构、RF晶体管、RF二极管、RF声波器件、MMIC、GaN on SiC、，GaN on Si、GaN on Diamond、PA、RF开关、RF滤波器、微波、毫米波、5G等）。
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